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半导体知识库 — 论点 DAG v0

事实源:../_input/thesis-extraction.json + ../_input/edge-ledger.csv。本文件是阅读展示层;新增或修改论点 / 边时,先改 _input/ 主数据。

宏观视图

graph LR
  S12[Agency 悖论] --> S10[答案式 vs Agentic 推理]
  S10 --> S11[NVIDIA 低延迟溢价侵蚀]
  S10 --> S24[Agentic CPU / 控制平面]
  S24 --> S07[ASPEED 议价权]

  S01[魏哲家 Agentic 转向] --> S02[TSMC N3 逻辑瓶颈]
  S02 --> S25[N3 + HBM 双瓶颈]
  S03[HBM 短缺至 2028] --> S25
  S03 --> S04[存储超级周期]

  S05[800V 供应链继承] --> S22[SiC/GaN 800V 电源 BOM]
  S22 --> S06[Wolfspeed 重估]
  S05 --> S08[Samsung 第二来源]
  S08 --> S23[韩国后端 / 测试杠杆]

  S13[Google TPU 垂直整合] --> S14[舰队规模专用化]
  S09[数据流架构复兴] --> S14
  S14 --> S11

  S15[电力 / 电网约束] --> S19[电网政策解锁]
  S15 --> S22
  S20[霍尔木兹 / 能源尾部风险] --> S15

  S16[光子 / CPO] --> S17[Blackwell 机架级护城河]
  S17 --> S11
  S21[AI Cake 价值捕获] --> S17
  S21 --> S11

论点索引

IDCAE ID论点主层级置信度
S0194魏哲家 Agentic 指令模式拐点物理层0.75
S02TSMC N3 逻辑晶圆成为 AI 瓶颈工艺层0.78
S0397HBM 结构性短缺至 2028工艺层0.80
S04HBM 挤出带来的存储超级周期工艺层0.70
S0598800V 供应链继承工艺层0.75
S0699Wolfspeed 1.0 重估标的层0.65
S07100ASPEED 议价权反转标的层0.70
S08101Samsung Foundry 第二来源 N-2 规则标的层0.65
S09102数据流架构复兴架构层0.55
S1096答案式 vs Agentic 推理分叉需求层0.70
S1195NVIDIA 低延迟溢价侵蚀架构层0.55
S12103Agency 悖论驱动算力需求需求层0.65
S13Google TPU 垂直整合架构层0.68
S14舰队规模足够大时,专用化胜过通用化架构层0.62
S15电力和电网成为 AI 硬约束物理层0.72
S16光子和 CPO 把带宽问题推入工艺层工艺层0.58
S17Blackwell 机架级架构成为系统护城河架构层0.66
S18CPU/GPU 比例迁移改变内存需求工艺层0.60
S19政策介入解锁电网政策层0.57
S20霍尔木兹和能源地缘成为半导体尾部风险政策层0.45
S21AI Cake 价值捕获栈架构层0.63
S22SiC/GaN 800V 电源 BOM 迁移工艺层0.73
S23韩国后端与测试杠杆标的层0.61
S24Agentic CPU 与控制平面的可投资性需求层0.64
S25N3 与 HBM 双瓶颈锁定逻辑和内存工艺层0.76

边账本

父节点子节点类型强度
E001S12S10因果0.80
E002S10S11因果0.70
E003S10S18因果0.55
E004S10S24因果0.65
E005S01S02确认0.85
E006S02S25因果0.80
E007S03S25因果0.80
E008S25S13约束0.60
E009S03S04因果0.75
E010S03S23因果0.55
E011S05S22因果0.90
E012S22S06因果0.75
E013S05S07因果0.60
E014S24S07因果0.75
E015S05S08因果0.60
E016S08S23因果0.70
E017S13S14因果0.80
E018S14S11竞争0.45
E019S09S14类比0.55
E020S17S11张力0.65
E021S16S17赋能0.50
E022S15S19因果0.70
E023S15S22因果0.65
E024S20S15风险0.45
E025S21S11背景0.55
E026S21S17背景0.60
E027S01S12确认0.50
E028S02S08约束0.55
E029S03S07间接0.40
E030S16S25约束0.50

质量门 v0